反相器电路（简单电路的三极管反相器疑问。图。）

为什么可以用CMOS反相器作为逻辑门电路缓冲级？
CMOS logic gate 可以级联组成复杂的逻辑电路以及SRAM单元。
Inverter可用于逻辑取反，或形成反相器链以增强逻辑门的带负载能力，减少延时。
请问：施密特反相器在电路中有什么作用？
　　施密特反相器也有两个稳定状态，但与一般触发器不同的是，施密特反相器采用电位触发方式，其状态由输入信号电位维持；对于负向递减和正向递增两种不同变化方向的输入信号，施密特反相器有不同的阈值电压。
　　作用：
　　它是一种阈值开关电路，具有突变输入——输出特性的门电路。这种电路被设计成阻止输入电压出现微小变化（低于某一阈值）而引起的输出电压的改变。
　　利用施密特反相器状态转换过程中的正反馈作用，可以把边沿变化缓慢的周期性信号变换为边沿很陡的矩形脉冲信号。输入的信号只要幅度大于vt+，即可在施密特反相器的输出端得到同等频率的矩形脉冲信号。
　　当输入电压由低向高增加，到达V+时，输出电压发生突变，而输入电压Vi由高变低，到达V-，输出电压发生突变，因而出现输出电压变化滞后的现象，可以看出对于要求一定延迟启动的电路，它是特别适用的.
如何用反相器构成振荡电路

此电路的工作过程。VO1和VO2分别是反相器G2的输入和输出，所以VO1和VO2的波形是反相的。当VO1为高电平VO2为低电平时，会有电流通过电阻R给电容C充电。这段时间，电容对地的电压即VI在上升，当VI升到反相器G1输入电压的高电平门限电压时VO1变低，同时VO2的电压由低电平跳变到高电平。VI（也即电容对地的电压）始终是电容两端的电压叠加上VO2的电压，所以VI电压也由：电容两端电压+低电平 变成了 电容两端电压+高电平，发生了突变。电容放电过程也类似。当VI因为电容放电，低到G1的低电平的门限电压时，VO1变高电平，VO2变低电平。VO2电平翻转之后，VI(电容两端电压+VO2)发生了突变，由：电容两端电压+高电平变成 电容两端电压+低电平。一个周期结束，电容又开始充电了。整个过程电容两端电压没有突变过，但电容对地的电压在电容充放电转换过程中却发生了突变。