3D模型文件后缀名是.ic3d，请问这是什么软件产出的...IC3D软件。
cadence IC610仿真时仿真模型库到底选择哪个？有些是自带的仿真模型，没有的需要去芯片生产的公司自己下载仿真模型。D:cadence16.6 oolscapturelibrarypspice这里面就是有电气特性的仿真元件
saber仿真中电容的ic怎么设置Saber下IGBT的通用模型主要有以下几个:
1.IGBT,No buffer Layer,Transistor
这个模型来源于美国国家标准与技术研究院(NIST),基于器件的物理模型,以它的主要研究者A.R.Hefner命名,可以比较准确的反应IGBT的电流电压以及充电特性.
2.IGBT Data Sheet Driven,Transistor
这是一个表征IGBT行为特征的模型,它需要的参数基本可以从器件的Datasheet上取得,可以反应IGBT的静态特性,非线性极间电容以及IGBT关断时的拖尾电流.
3.IGBT Data Sheet Driven,Static therl
这是一个表征IGBT行为特征的模型,它需要的参数基本可以从器件的Datasheet上取得,可以反应IGBT的静态热特性,沟道调制效应,非线性极间电容以及IGBT关断时的拖尾电流.
4.Data Sheet Driven,Dynamic therl
这是一个表征IGBT行为特征的模型,它需要的参数基本可以从器件的Datasheet上取得,可以反应IGBT的动态热特性,沟道调制效应,非线性极间电容以及IGBT关断时的拖尾电流.
5.IGBT Buffer Self-Heat,Transistor
这个模型来源于美国国家标准与技术研究院(NIST),基于Henfer带缓冲层自加热模型,以它的主要研究者A.R.Hefner命名,可以比较准确的反应IGBT的电流、电压、充电以及动态热特性.
6.IGBT Buffer Layer,Transistor
这个模型来源于美国国家标准与技术研究院(NIST),基于Henfer带缓冲层模型,以它的主要研究者A.R.Hefner命名,可以比较准确的反应IGBT的电流、电压以及充电特性.
7.Self-Heat,Transistor
这个模型来源于美国国家标准与技术研究院(NIST),基于Henfer模型,以它的主要研究者A.R.Hefner命名,可以比较准确的反应IGBT的电流、电压以及充电特性.
每个模型所需参数要求不一，具体参数怎么设定可参照saber中对应IGBT说明，右键-view template。硬之城有这个型号的 可以去看看有这方面的资料么
